2SB1215T-E

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

2SB1215T-E datasheet

• Маркировка
  2SB1215T-E
• Производитель
  ON Semiconductor
• Описание
  ON Semiconductor 2SB1215T-E Collector- Emitter Voltage Vceo Max: 100 V Continuous Collector Current: 3 A Dc Collector/base Gain Hfe Min: 70 mA Emitter- Base Voltage Vebo: - 6 V Maximum Power Dissipation: 1 W Mounting Style: Through Hole Package / Case: TO-251 Rohs: yes Transistor Polarity: NPN/PNP RoHS: yes Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 100 V Emitter- Base Voltage VEBO: - 6 V DC Collector/Base Gain hfe Min: 70 mA
• Количество страниц
  10 шт.
• Форматы файла
  HTML, PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet 2SB1215T-E.pdf
Файл формата Pdf 258,12 KB